2016. augusztus 11.
Reliable resistive switching is demonstrated in asymmetrically designed atomic-scale memories utilizing all-Ag electrodes.
Asymmetry-induced resistive switching in Ag-Ag2S-Ag memristors
Obsolete
Ez az oldal egy archívum, a BME Fizikai Intézet új honlapjának címe: https://physics.ttk.bme.hu/
This website is an archive, the actual webpage of the Instritute of Physics of BME is at: https://physics.ttk.bme.hu/